電気通信大学産学官連携センター 第80回研究開発セミナー
Siデバイスを用いた最新ＲＦ技術
− CMOS，SOIおよびSOS技術動向と製品展望 −
| 日時 | 2010年3月8日（月） 13:00〜16:40 |
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| 場所 | 電気通信大学 産学官連携センター4階研修室 |
| 主催 | 電気通信大学 産学官連携センター 産学官連携支援部門 |
| 共催 | 電気通信大学産学官連携センター事業協力会 |
| 後援 | （社）目黒会 （電気通信大学同窓会） |
| 定員 | 50名 |
| 参加費 | 3,000円 （資料代、飲み物代を含む） 電気通信大学産学官連携センター事業協力会会員及び学生は無料 |
SiデバイスのRFブロックへの適用が進んでいます。CMOS技術によるトランシーバIC製品は良く知られていますが、最近ではGaAsデバイスが得意であった携帯電話のフロントエンド部(アンテナ切替スイッチとパワーアンプ)やミリ波帯ICの開発が進められています。
今回のセミナーでは、結晶、プロセスとデバイス開発、及びそれを適用した回路設計と製品開発において、第一線で活躍されている専門家の方々に、RF Siデバイス技術の最新情報と開発動向、適用製品の開発状況や市場の展望を講演して頂きます。
プログラム
１．「先端シリコンウェーハの動向」
明治大学 理工学部 電気電子生命学科 教授 小椋 厚志 氏
２．「RF-CMOS トランシーバフロントエンド回路の最新動向」
NEC デバイスプラットフォーム研究所 主幹研究員 前多 正 氏
３．「完全空乏型SOI技術の状況と展望」
金沢工業大学 工学部電気系 電気電子工学科 教授 井田 次郎 氏
４．「SOS製品と市場動向など」
沖電気工業（株）SOS RFソリューション事業推進部 チームマネージャ 藤田 研 氏
| 企画／司会 | 電気通信大学 産学官連携センター 特任教授 | 岩田 直高 氏 |
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資料の残部がございます。実費（2,000円）でお分けします。
ご希望の方は、御氏名、送付先をFAXにて共同研究センター042-443-5726までお申し込み下さい。
