電気通信大学産学官連携センター第65回研究開発セミナー

「高出力を高効率で制御する新デバイス」 - GaNを用いた電子デバイスの開発動向 -

日時	２００６年１２月１１日（月）　13:00～16:20
場所	電気通信大学８０周年記念会館（リサージュ）３階研修室
主催	電気通信大学共同研究センター
共催	電気通信大学共同研究センター事業協力会
後援	（社）目黒会　（電気通信大学同窓会）
定員	６０名
参加費	3,000円（資料代、飲み物代を含む）電気通信大学産学官連携センター事業協力会会員及び学生は無料

GaNの光デバイスは既に市民権を得ていますが、電子デバイスへの適用は、今まさに実用化の時期を迎えています。
このセミナーでは、GaNの物性からその特徴を生かした電子デバイスの開発へと議論を進めます。その中でも早期に実用化が期待される電力制御と携帯電話基地局用のデバイス開発の実際について、第一線で活躍されている専門家の方々に市場と技術の動向、研究成果と今後の展望を講演して頂きます。

プログラム

1.「GaNの特徴と電子デバイスへの適用」

独立行政法人産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター研究センター長代行、総括研究員　奥村　元氏

2.「半導体パワー素子の現状とGaNを含む将来技術」

(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体開発部参事　大村一郎氏

3.「基地局用高周波パワーGaN FETの開発状況」

財団法人新機能素子研究開発協会先進高周波デバイス R&Dセンター主任研究員　宮本広信氏

企画／司会	電気通信大学共同研究センター客員教授	岩田直高氏