電気通信大学産学官連携センター第38回研究開発セミナー

「次世代高度情報通信社会を切り拓くワイドバンドギャップデバイス」

日時	２０００年１１月３０日（木）午後1:00～5:20
場所	電気通信大学　東６号館８０３室
主催	電気通信大学共同研究センター
共催	電気通信大学共同研究センター事業協力会
後援	（社）目黒会　（電気通信大学同窓会）

次世代の高度情報通信社会においては，準マイクロ波帯からマイクロ波，ミリ波帯での移動体や衛星通信，レーダ，リモートセンシングなどの無線応用が拡大し，さらにコンピュータや光通信においても動作速度が向上し，数GHzから数十GHz帯の信号が取り扱われ，さらにはDRAMなどの半導体メモリにおいても，書き込み，読み出しにもGHz帯の信号が使用されることが期待されています。
これらのニーズに応える半導体技術として、本セミナーではGaAsに近いキャリア輸送特性を有しつつ破壊電圧が高く高電圧で動作できるGaNやSiCのワイドバンドギャップデバイスを取り上げ、ワイドバンドギャップデバイスの結晶成長、材料開発からデバイス、回路開発、さらに期待されるシステム応用までわかりやすく解説し、ワイドバンドギャップデバイスを用いることにより情報通信社会がどのように変貌していくのかを知ることを目的としました。

プログラム

1.「GaN 結晶の評価とデバイス作製」

NTTフォトニクス研究所テラビットデバイス研究部塩島謙次氏

2.「AlGaN/GaNデバイスの諸問題」

松下電子（株）半導体デバイス研究センター井上　薫氏

3.「AlGaN/GaN HEMTのRF特性」

日本電気（株）関西エレクトロニクス研究所葛原正明氏

4.「GaAs系FETの高耐圧化」

富士通研究所基盤技術研究所原　直紀氏

企画／司会	共同研究センター客員教授	伊藤康之氏

資料の残部がございます。実費（2,000円）でお分けします。
ご希望の方は、御氏名、送付先をFAXにて共同研究センター042-443-5726までお申し込み下さい。